IPD105N04L G參數(shù):MOSFET N-CH 40V 40A TO252-3
類別:分立半導體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告: ProductDiscontinuation26/Jul/2012標準包裝:2,500系列:OptiMOS™包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):40V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):40A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):10.5毫歐@40A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):2V@14µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):23nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss):1900pF@20V功率-最大值:42W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-252-3,DPak(2引線+接片),SC-63供應商器件封裝:PG-TO252-3